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Apr 2, 2021 1:52 AM ET

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ市場予測、2025年までに110億ドルに達すると予測


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ市場予測、2025年までに110億ドルに達すると予測

iCrowd Newswire - Apr 2, 2021

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ市場は、2025年までに110億ドルに達すると予測され、2019-2025年のCAGRは8%で成長しています。IGBTは電気自動車の採用により、自動車分野で大きな成長を遂げています。技術の進歩とバッテリー価格の引き下げにより電気自動車のコストが削減され、2016年以降、電気自動車の需要が増加しています。電気自動車の生産は2018年から2022年にかけて28%増加し、2020年までに1,480万台の電気自動車の販売を占める見込みです。

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ市場セグメント分析 – 用途別

自動車部門は、2019年から2025年の予測期間中に13%のCAGRで成長すると推定されています。IEAの2019年のデータによると、IGBT市場が驚異的なスピードで成長しているため、新しい電気自動車の販売台数は2013年の203,000台から2018年には1,872,000台に増加したことが明らかになった。EVの採用は、ディーゼル車やガソリン車と比較してEVが提供する経済的特徴と共に、制御された排出ガス運転に関する政府の規制により、大幅に増加しています。同様に、多くの国の政府は、電気自動車を促進するためにいくつかのイニシアチブを取っています。例えば、2019年、インド政府は補助金を通じて電気自動車の使用を加速する提案を準備している。

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絶縁ゲートバイポーラトランジスタ市場セグメント分析 – 地理別

APAC IGBT市場は、2019年から2025年の間に最も高い成長率を目の当たりにするために分析されています。この地域のIGBT市場は、主に電気自動車の生産の増加によって駆動されます。2018年の電気自動車の生産台数は、2016年と比較して75%増加しました。インド、中国、日本などの政府は、さまざまなプログラムを通じて電気自動車を推進しています。例えば、2019年、中国政府は、自動車メーカーが従来の車両を製造したい場合はEV生産のクレジットを獲得する必要があるクレジットシステムを導入する予定です。国のEVの生産の増加は、IGBTの使用を増加させ、市場にプラスの影響を与えます。さらに、バッテリーの性能を向上させ、充電ソリューションに焦点を当てる新しい技術を開発するスタートアップの増加は、この地域でのIGBTの需要を増大させます。さらに、インバータやUPSなどさまざまな用途でIGBTの使用が見られる家電製品で起こっている技術の進歩は、この地域のIGBT市場を押し上げるでしょう。例えば、中国の家電市場は、2019年から2025年の間に10%から15%の成長を目の当たりにする可能性が高い。この成長は、中国のIGBT市場に新たな機会をもたらす可能性が高い。

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ市場のドライバー

厳しい排出基準と充電インフラの改善により電気自動車の生産が増加:

EUは最近、自動車からのCO2排出量の削減に主に焦点を当てた新しい規制(EU)2019/631の実施を発表した。この規制の実施は、燃料で走行する車両の生産に悪影響を及ぼすことが予想されます。これを考慮して、自動車メーカーは、IGGBTの使用を徐々に増やすEVの生産を増やすことを計画しています。同様に、チャージポイント、エレクティファイ・アメリカ、フォルクスワーゲンなどの主要プレーヤーによる新しい充電センターの設置に関する投資やイニシアチブの増加は、電気自動車の充電ステーション市場の成長に大きく貢献しています。2019年、チャージポイントとエレクティファイ・アメリカは、米国に30,000レベル2とDC高速充電ステーションを設置するために20億ドルを投資する計画と提携しました。2019年6月、フォルクスワーゲンは米国全土に2,000台以上の充電ディスペンサーを備えた484台の電気自動車ステーションを設置する計画を立てた。

IGBTの新しいデザインコンセプトの導入:

IGBTの性能を高める新しい設計の導入に、様々なベンダーが注目しています。IGT のファイリングストップおよび埋め込み層 (BL) と呼ばれる新しい設計概念は、電力アプリケーションのスイッチング損失を低減するための効果的な手段を提供するのに役立ちます。これらの技術を製造工程で組み合わせ、IGTの性能をさらに向上させることが期待されています。

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絶縁ゲートバイポーラトランジスタ市場の課題

電源スイッチング アプリケーションで IGBT の代わりに SiC MOSFET を使用する場合:

太陽インバータの需要が毎年約30%増加する中、メーカーはIGBTの代替として考えられているSiC MOSFETの使用に向けて切り替えています。SiC MOSFETを太陽型インバータに使用することで、インバータのコストを削減し、インバータの効率を1%-2%向上させることが期待されています。SiC MOSFETの使用の増加は、75%の電力損失を減らすのにも役立ちます。SiC MOSFETの製造は、製品の価格を下げる手助けとなる製造プロセスにおいて、先進技術の導入を計画している。

市場の状況

IGBT市場は、多数の地域およびグローバルベンダーの存在により、非常に細分化されています。主要ベンダーは、地元のメーカーよりも利益を得るためにカスタマイズされた製品を提供しています。大手ベンダーは、電気自動車、ドライブなどの新しいアプリケーション分野を活用しています。ROHMやルネサス・エレクトリックなどの主要企業は、新製品の導入に注力しています。ROHMは最近、電子コンプレッサで使用されるインバータや正の温度係数(PTC)ヒーターで使用されるスイッチング回路に最適な4つの新しい自動車グレードの1200V評価のIGTを導入しました。ROHMによる新しい自動車グレードシリーズ製品の導入は、主にインバータなどの用途で使用され、製品の効率向上に役立ち、企業収益にプラスの影響を与えると予想されています。IGBT市場の主要なプレーヤーは、ルネサスエレクトロニクス株式会社、インフィニオンテクノロジーズAG、富士電機株式会社、ローム株式会社、セミクロンインターナショナルGmbH、三菱自動車、東芝、日立、有限会社などです。

パートナーシップ/合併/買収

2016年、LittelfuseはON Semiconductor Corporationの過渡電圧抑制(「TVS」)ダイオードを買収し、サイリスタと絶縁ゲートバイポーラトランジスタセグメントを合計1040万ドルに切り替え、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ市場での役割を拡大しました。

研究開発投資/資金調達

トヨタ・セントラルR&Dラボは、IGTの特性向上のための新しいデザインコンセプトを開発中です。トヨタ・セントラルR&Dラボは、新しいIGBTには、オンステート電圧の低減に有効なフィールドストップIGBTのコンセプトが提供されていると述べた。

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ市場調査範囲:

調査の基準年は2018年で、予測は2025年までです。この調査は、主要企業の市場シェアを考慮して、競争環境の徹底的な分析を提示します。また、出荷単位に関する情報も提供します。これらは、キーを提供します必要なビジネスインテリジェンスを持つ市場参加者と、IGBT市場の将来を理解するのに役立ちます。この評価には、予測、競合構造の概要、競合他社の市場シェア、市場動向、市場需要、市場の推進力、市場課題、製品分析が含まれます。市場の推進要因と抑制は、予測期間中の影響を把握するために評価されています。このレポートでは、成長の重要な機会をさらに特定すると同時に、主要な課題と考えられる脅威についても詳しく説明します。主な焦点は、家電、産業用モータドライブ、インバーター&UPS、自動車、HVAC、再生可能エネルギーの特定のアプリケーションです。

キーテイクアウト

電気自動車の製造におけるクレジットスコアやCO2削減に関する新政府規制などの新たな政策の実施により、IGBT市場の成長に影響を及ぼすIGBTの利用を増やす電気自動車の生産を増やしていくと予想されます。

新しいIGBTチップとモジュールの研究開発への投資の増加は、電力消費を削減し、チップ密度、熱抵抗率および効率を向上させることで、IGBT市場の地位をさらに強化するであろう。

アジア太平洋地域はIGBT市場の主要なシェアを占めています。市場の成長は、この地域は、EVのバッテリーの性能を向上させる新技術の導入に焦点を当てているスタートアップの増加によって駆動され、IGBT市場を駆動しています。

関連レポート :

A. 高電子モビリティトランジスタ市場

https://www.industryarc.com/Report/19294/high-electron-mobility-transistor-market.html

B. 表面実装技術市場

https://www.industryarc.com/Report/15454/surface-mount-technology-market.html

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