SiCパワー半導体の世界市場は、2023-2032年の予測期間中に26.30%のCAGRで、2032年までに16.4億米ドルに達すると予測される。

SiCパワー半導体の世界市場は大幅な成長を遂げそうだ。電子自動車の普及が成長の原動力となっている。Market Research Future (MRFR)によると、SiCパワー半導体の世界市場は、2022年の0.2 BN USDから2032年には1.64 BN USDに拡大し、評価期間(2023-2032)を通じて26.30%のCAGRで成長する見込みである。

さらに、材料能力の向上をターゲットとしたR & D活動の拡大が、SiCパワー半導体市場の収益を加速している。高性能で費用対効果の高いパワー半導体の膨大な吸収、特に電気自動車がSiCパワー半導体市場の収益を押し上げる。

EV、急速充電器、航空機、大型産業用モーターなどの高電圧アプリケーションにおけるSiCパワー半導体の需要の急増が、市場規模を実質化している。高性能とコストに対する顧客ニーズを満たすことができる破壊的イノベーションの成長&エネルギー効率の高いパワーソリューション市場の収益。

パワーエレクトロニクス産業と、高電圧やハイパワーエレクトロニクスなどの隣接分野の急成長が市場収益を支えている。産業界は、量子、人工知能、集積フォトニクスなど、他の新興分野への注力を強めている。自動車の電動化と産業機器の自動化が拡大し、大きな市場機会を生み出している。

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主要プレーヤー

SiCパワー半導体市場の主要プレイヤーは以下の通りである。

• STマイクロエレクトロニクス
• ウルフスピード
• ローム株式会社
• 三菱電機株式会社
• 富士電機株式会社
• テキサス・インスツルメンツ
• セミクロン ダンフォス
• インフィニオンテクノロジーズAG
• ルネサス エレクトロニクス株式会社
• Xiamen Powerway Advanced Material Co.

SiCパワー半導体市場 - セグメンテーション

本レポートは、デバイス、ウェハサイズ、アプリケーション、エンドユーザー、地域にセグメント化されている。デバイスセグメントは、SiCディスクリートデバイス（MOSFET、ダイオード、モジュール）とSiCベアダイデバイスにサブセグメント化されています。ウェーハサイズは、2インチ、4インチ、6インチ以上に細分化される。

アプリケーションセグメントは、RFデバイス&セルラー基地局、電源&インバーター、パワーグリッド、EVモーター、産業用モータードライブ、鉄道牽引、その他に細分化される。エンドユーザー分野は、テレコミュニケーション、エネルギー&パワー、自動車、産業、エレクトロニクス、その他に細分化される。地域別では、SiCパワー半導体市場は、米州、欧州、アジア太平洋、中東&アフリカ、その他の地域に区分される。

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SiCパワー半導体市場 - 地域別分析

アジア太平洋地域が世界のSiCパワー半導体市場を支配している。注目すべき市場プレイヤーの存在が大きく、革新的技術の開発と製造への投資が増加していることが、SiCパワー半導体の市場規模を押し上げています。また、この地域で急速に成長している電気自動車とエレクトロニクス産業がSiCパワー半導体市場の成長を後押ししています。また、コンシューマー、テレコミュニケーション、&データ通信、医療分野の急成長も、この地域のSiCパワー半導体市場シェアを支えている。

SiCパワー半導体市場 - 競争分析

同市場は競争が激しく、多くのプレーヤーが世界的な存在感を示している。市場のプレーヤーは、ミッションの成功を確実にするために、最適化された状況認識に重点を置いています。老舗企業は新興市場を開拓し、巧みな技術で製品開発に努めている。

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業界/イノベーション/関連ニュース：

2023年8月31日--半導体グローバルリーダー、STマイクロエレクトロニクス(STM)は、革新的で持続可能なモビリティソリューションを提供する世界的リーダー、BorgWarner Inc(BWA)と供給契約を締結したと発表した。STMは、ボルボ・カーズの電動化をサポートするViperパワー・モジュール向けに、SiCパワーMOSFETをボルグワーナーに供給します。BWAは、現在および将来のボルボ・カーBEVのトラクション・インバータ・プラットフォームにSiCダイスを使用します。STMの最新の第3世代750V SiCパワーMOSFETダイスは、BWA独自のViperベースのパワー・モジュールに使用されます。

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