磁気抵抗RAM(MRAM)市場は18.58%のCAGRで13億9,670万米ドルに達し|市場機会、開発状況、地域動向

磁気抵抗RAM(MRAM)市場は18.58%以上のCAGRで成長し、合計13億9,670万米ドルになると予想されています。磁気抵抗ランダムアクセスメモリと呼ばれる不揮発性RAMは、電荷ではなく磁気電荷を使用してデータを保存します。ハネウェル社は、システムの初期の進歩が始まった1990年に磁気抵抗メモリデバイスを作成しました。高密度、ランダムアクセス、不揮発性メモリが特長として確認されました。ダイナミックRAMは、電荷の代替である磁気電荷を使用してデータビットを保存します。ガジェットは、電子アイテムを強化し、膨大な量のデータを保存し、迅速なアクセスを保証するために使用されます。これには、ダイナミックRAMとスタティックRAMの両方の利点が組み合わされています。磁気抵抗RAM(MRAM)市場は、家電製品、スマートガジェット、ウェアラブルデバイス全体でスタンドアロンおよび組み込みメモリの需要が高まった結果として拡大を続けます。

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磁気抵抗膜方式RAM(MRAM)市場の主要企業:

• トヨタ株式会社 (東京都)
• NVEコーポレーション(米国)
• エバースピン・テクノロジーズ社(米国)
• Avalanche Technology Inc. (米国)
• Spin Memory, Inc. (米国)
• ハネウェルインターナショナル社(米国)
• サムスン電子(韓国)
• ヌメム社(米国)。

これらのプレーヤーは、MRAMの繰り返し率に関して企業が達成できる可能性のある技術的なブレークスルーの観点から互いに競争しています。たとえば、数年の間に、エバースピンテクノロジーズインク、アバランチテクノロジーインク、ヌメムインク、NVEコーポレーション、ハネウェルインターナショナルインク、サムスン電子株式会社、スピンメモリインクはプロセス品質を大幅に改善し、購入者の関心と製品の申請数の増加につながりました。

磁気抵抗RAM(MRAM)市場の地域分析:

MRAM市場に関する調査は、世界の5つの主要地域(アジア太平洋、北米、ヨーロッパ、中東、アフリカ、南アメリカ)で実施されています。この地域の主要な重要なプレーヤーの存在は、世界のMRAM市場の成長へのこの地域の貢献の重要な要素です。これらの企業は、メモリとストレージの革命の最前線にあり、人工知能、機械学習、モノのインターネット、自動運転車などの新しいテクノロジーを開拓しています。

ドイツの成長率はヨーロッパで最も高いと予想されています。低電力、コンパクト、高性能のMRAM設計とコンポーネントに対するニーズの高まりは、ドイツのMRAM市場の拡大を推進する主な推進力です。

メモリチップの研究と生産のための政府資金が増加しており、それがアジア太平洋地域での需要の急増につながっています。

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磁気抵抗ラム(MRAM)市場セグメンテーション:

磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)市場は、製品、アプリケーション、および地理学によって分割されます。

将来の磁気抵抗RAM(MRAM)市場は、販売が予想される製品の種類に基づいて、STTとトグルの2つの異なるサブマーケットに分けられます。2020年には、STTセクターが市場をリードし、評価期間にわたって19.35%のCAGRで成長すると予測されていました。

MRAMの市場シェアとNANDは、航空宇宙および軍事、自動車、ロボット工学、家庭用電化製品、エンタープライズストレージなど、それぞれの最終用途産業に応じて多くのセグメントに分割されています。2027年の終了までに、航空宇宙および防衛市場は2億4,970万ドルの収益を上げたと予測されています。

新しい64Mb STT-MRAMメモリデバイスは、2021年9月27日に、次世代MRAMテクノロジーの業界リーダーでありプロバイダーであるアバランチテクノロジーによってリリースされました。サイズ、消費電力、信頼性の点で、新しい64Mbパラレルx16産業用P-SRAM製品は比類のない製品です。

最新のAvalanche製品リリースには、最小のフォームファクタと最小の消費電力で信頼性の高い産業用ソリューションが含まれており、ユーザーは産業用データロギングアプリケーション用の統合メモリアーキテクチャシステムを作成できます。

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